Perkembangan teknologi penyimpanan data kembali mencatat kemajuan setelah Micron Technology mengungkap rencana pengembangan NAND G11 dengan struktur lebih dari 400 lapisan. Inovasi yang dipaparkan dalam webinar teknologi perusahaan pada 21 Oktober 2026 ini ditujukan untuk meningkatkan kepadatan penyimpanan, kecepatan transfer, dan efisiensi energi pada generasi SSD mendatang. Dibandingkan NAND G9 yang menggunakan 276 lapisan, G11 menargetkan kepadatan bit sekitar dua kali lebih tinggi serta peningkatan kecepatan antarmuka hingga 50 persen. Micron juga memperkenalkan pendekatan wafer-on-wafer bonding sebagai bagian penting pengembangannya, dengan peningkatan produksi yang direncanakan mulai berlangsung pada paruh kedua 2027.
Pengembangan NAND G11 Menandai Kemajuan Teknologi Penyimpanan Data
Perusahaan semikonduktor Micron memaparkan strategi inovasi generasi mendatang melalui pengumuman teknologi NAND generasi kesebelas. Teknologi ini dirancang menggunakan lebih dari 400 lapisan untuk mengoptimalkan jumlah informasi yang disimpan dalam area semikonduktor tertentu. Dalam presentasi perusahaan, Micron menjelaskan arah inovasi penyimpanan untuk mendukung pertumbuhan pusat data. Pendekatan teknologi tersebut menjadi upaya meningkatkan efisiensi penyimpanan yang mengutamakan efisiensi daya dan kinerja.
Langkah strategis yang menonjol adalah peralihan langsung dari NAND G9 ke G11. Generasi G9 menggunakan susunan vertikal sebanyak 276 lapisan, sedangkan G11 dipersiapkan membawa perubahan kepadatan signifikan. Micron menjelaskan bahwa, rancangan memori generasi baru difokuskan pada kebutuhan AI masa depan. Meskipun demikian, G11 masih berada dalam tahapan pengembangan menuju produksi. Dengan demikian, angka performa yang diumumkan sebaiknya dinilai sebagai sasaran performa sebelum produksi massal.
Keunggulan NAND G11 dalam Kepadatan Data dan Kecepatan Transfer
Salah satu peningkatan utama NAND G11 adalah kepadatan bit sekitar dua kali lipat dibandingkan G9. Menurut target Micron, kepadatan NAND G11 ditargetkan berada pada kisaran 42 Gb/mm². Perubahan arsitektur tersebut membuka peluang penambahan kapasitas tanpa meningkatkan ukuran fisik chip secara proporsional. Pada sektor memori flash, kepadatan bit yang lebih tinggi dapat membantu menghasilkan SSD berkapasitas besar. Namun, jumlah data yang dapat ditampung perangkat juga ditentukan oleh jumlah paket NAND yang digunakan.
Di samping menghadirkan struktur lebih padat, Micron juga merancang jalur komunikasi NAND dengan performa lebih tinggi. Dibandingkan NAND G9, G11 dirancang memiliki kemampuan antarmuka sekitar satu setengah kali lebih cepat. Kemajuan pada jalur transfer ini berpotensi mempercepat pertukaran data antara NAND dan pengendali. Walaupun target performanya menarik, performa antarmuka memori berbeda dari kecepatan produk SSD. Elemen perangkat seperti antarmuka PCIe, pengelolaan cache dan penjadwalan operasi tetap mempengaruhi performa akhir.
Micron Menggunakan Penyatuan Wafer untuk Mengembangkan Memori Flash
Sebagai bagian dari strategi pengembangannya, Micron menggunakan pendekatan penggabungan wafer semikonduktor. Metode fabrikasi tersebut memberikan kesempatan mengembangkan bagian memori dan logika pada wafer berbeda. Ketika kedua bagian telah melalui proses fabrikasi, wafer dihubungkan menjadi struktur semikonduktor terpadu. Pendekatan tersebut membantu pengembangan rangkaian penyimpanan dan pengendali secara terpisah. Melalui teknik tersebut, struktur penyimpanan bisa dioptimalkan untuk kapasitas, sementara sirkuit pendukung diarahkan pada efisiensi.
Walaupun memiliki potensi besar, wafer-on-wafer bonding juga membutuhkan penyelarasan komponen secara akurat. Kesalahan pada proses penyatuan dapat mempengaruhi hasil produksi. Dengan mempertimbangkan tantangan ini, efektivitas penerapan skala industri menjadi faktor penting dalam pengembangan G11. Micron menyatakan bahwa, penerapan teknik penggabungan wafer dilakukan ketika keuntungan performa dan biaya dipandang relevan. Strategi ini menggambarkan bahwa inovasi memori flash generasi baru tidak hanya ditentukan oleh susunan vertikal sel, tetapi juga memerlukan inovasi proses produksi.
Efisiensi Energi NAND G11 Mendukung Kebutuhan SSD Modern
Tidak terbatas pada pengembangan performa, pengurangan kebutuhan daya memperoleh perhatian utama dalam perancangan NAND G11. Perusahaan menargetkan, pengurangan konsumsi energi per bit yang ditransfer di atas 25 persen dibandingkan arsitektur penyimpanan sebelumnya. Target efisiensi ini dapat membantu sistem penyimpanan berkapasitas besar yang memproses lalu lintas data secara berkelanjutan. Pada fasilitas berskala besar, pengurangan daya pada jalur transfer dapat mengurangi sebagian kebutuhan energi sistem. Namun, target tersebut menjelaskan konsumsi energi selama transfer data, bukan angka penurunan konsumsi seluruh sistem.
Pada laptop dan komputer desktop, efisiensi NAND yang lebih baik juga memiliki nilai tambah bagi rancangan sistem. Media penyimpanan dengan efisiensi transfer lebih tinggi berpotensi mengurangi panas dari aktivitas tertentu ketika melakukan aktivitas penyimpanan intensif. Kendati potensi tersebut menarik, konsumsi daya sistem komputer tetap dipengaruhi berbagai komponen lain. Pengendali penyimpanan, pengaturan operasi dan manajemen energi juga memiliki peran penting pada performa perangkat. Dengan mempertimbangkan hal tersebut, pengujian produk komersial tetap diperlukan sebelum manfaat efisiensi dapat dinilai secara menyeluruh.
Teknologi Penyimpanan G11 Mendukung Perkembangan Infrastruktur AI
Meningkatnya penggunaan kecerdasan buatan membuat kapasitas penyimpanan menjadi semakin penting. Sistem AI modern sering memproses informasi dengan volume tinggi untuk pelatihan model maupun pelaksanaan model yang telah dilatih. Pada infrastruktur seperti ini, NAND G11 berpotensi mendukung SSD berkapasitas besar. Kepadatan penyimpanan yang meningkat dapat membantu meningkatkan kapasitas perangkat. Sebagai pelengkap, kemampuan transfer internal yang lebih cepat dapat mendukung rancangan SSD generasi berikutnya, terutama apabila didukung arsitektur sistem memadai.
Dalam peta jalan teknologinya, Micron menjelaskan strategi produk storage bagi pusat data AI. Salah satu pendekatan pengembangannya adalah penyimpanan berorientasi IOPS tinggi melalui pengaturan akses data dengan granularitas lebih rendah. Arah inovasi yang berbeda berfokus pada optimalisasi laju pertukaran informasi. Variasi permintaan sistem AI mendorong optimalisasi penyimpanan berdasarkan penggunaan. Meski demikian, SSD berbasis NAND tidak otomatis menggantikan HBM atau DRAM. Berbagai lapisan penyimpanan dan memori memiliki fungsi tersendiri dalam arsitektur komputasi, sehingga perancangan sistem menyeluruh tetap menjadi faktor penting.
Micron Membuka Peluang Baru Penyimpanan Berkapasitas Tinggi
Pengembangan NAND G11 oleh Micron menunjukkan kemajuan signifikan dalam teknologi semikonduktor modern. Melalui rancangan NAND yang melampaui 400 lapisan, teknologi tersebut dirancang menghadirkan kemampuan penyimpanan jauh lebih padat dibandingkan teknologi sebelumnya. Target antarmuka yang lebih cepat hingga 1,5 kali lipat serta target penghematan energi per bit yang signifikan memperlihatkan potensi manfaat. Perusahaan merencanakan perluasan produksi pada paruh kedua 2027, sehingga kemampuan nyata tetap membutuhkan pengujian lanjutan. Bagi pelaku pengembangan pusat data, inovasi ini memberikan gambaran masa depan SSD. Bagaimana pendapat Anda, apakah efisiensi energi media penyimpanan akan memberikan dampak terbesar bagi komputasi modern pada beberapa tahun mendatang?
