Perkembangan teknologi penyimpanan data kembali mencatat kemajuan setelah Micron Technology mengungkap rencana pengembangan NAND G11 dengan struktur lebih dari 400 lapisan. Inovasi yang dipaparkan dalam webinar teknologi perusahaan pada 21 Oktober 2026 ini ditujukan untuk meningkatkan kepadatan penyimpanan, kecepatan transfer, dan efisiensi energi pada generasi SSD mendatang. Dibandingkan NAND G9 yang menggunakan 276 lapisan, G11 menargetkan kepadatan bit sekitar dua kali lebih tinggi serta peningkatan kecepatan antarmuka hingga 50 persen. Micron juga memperkenalkan pendekatan wafer-on-wafer bonding sebagai bagian penting pengembangannya, dengan peningkatan produksi yang direncanakan mulai berlangsung pada paruh kedua 2027.
Micron Memperkenalkan Generasi Baru NAND dengan Lebih dari 400 Lapisan
Perusahaan semikonduktor Micron memaparkan rencana pengembangan terbaru melalui pengembangan memori flash G11. Arsitektur penyimpanan tersebut dirancang menggunakan lebih dari 400 lapisan untuk mengoptimalkan jumlah informasi yang disimpan dalam ruang fisik yang relatif kecil. Melalui penjelasan teknologinya, Micron menyoroti kemajuan arsitektur memori flash untuk mendukung pertumbuhan pusat data. Pendekatan teknologi tersebut menjadi fondasi pengembangan SSD generasi baru yang mengutamakan efisiensi daya dan kinerja.
Langkah strategis yang menonjol adalah pengembangan G11 sebagai penerus teknologi G9. Arsitektur memori flash G9 menggunakan struktur memori dengan 276 tingkatan, sedangkan G11 dipersiapkan membawa perubahan kepadatan signifikan. Micron menjelaskan bahwa, arah pengembangan G11 dioptimalkan untuk penyimpanan berbasis kecerdasan buatan. Kendati spesifikasi awal terlihat menjanjikan, G11 masih berada dalam tahapan pengembangan menuju produksi. Karena kondisi tersebut, parameter teknologi yang diperkenalkan sebaiknya dinilai sebagai sasaran performa sebelum produksi massal.
Peningkatan Struktur Memori Micron Mengoptimalkan Kapasitas SSD
Salah satu peningkatan utama NAND G11 adalah kemampuan menempatkan sekitar dua kali lebih banyak bit per satuan luas. Menurut target Micron, kepadatan NAND G11 diproyeksikan mencapai sekitar 42 Gb per milimeter persegi. Kemajuan kepadatan ini mendukung penyimpanan informasi yang lebih padat tanpa memerlukan pertambahan luas semikonduktor dengan rasio sama. Pada sektor memori flash, kemampuan menyimpan lebih banyak bit dapat mempermudah pengembangan perangkat penyimpanan padat. Meski demikian, kapasitas akhir sebuah SSD juga ditentukan oleh jumlah paket NAND yang digunakan.
Selain meningkatkan kepadatan, Micron juga merancang jalur komunikasi NAND dengan performa lebih tinggi. Terhadap teknologi NAND generasi kesembilan, G11 menawarkan target peningkatan I/O sebesar 50 persen. Perubahan performa antarmuka berpotensi membantu memperbesar laju pemindahan informasi internal. Walaupun target performanya menarik, kemampuan chip flash tidak otomatis menentukan hasil benchmark SSD. Faktor seperti pengendali SSD, pengelolaan cache dan penjadwalan operasi tetap menentukan hasil penggunaan dalam berbagai pekerjaan.
Micron Menggunakan Penyatuan Wafer untuk Mengembangkan Memori Flash
Untuk mencapai peningkatan tersebut, Micron menggunakan pendekatan penggabungan wafer semikonduktor. Teknologi ini memberikan kesempatan mengembangkan bagian memori dan logika pada wafer berbeda. Setelah masing-masing komponen selesai diproduksi, wafer digabungkan menggunakan teknik penyambungan presisi. Proses penggabungan ini memungkinkan pemilihan proses manufaktur yang lebih sesuai. Dengan demikian, array NAND dapat dirancang untuk meningkatkan densitas, sementara rangkaian periferal dikembangkan untuk kinerja.
Walaupun memiliki potensi besar, wafer-on-wafer bonding juga menuntut tingkat ketelitian manufaktur tinggi. Gangguan selama tahapan bonding dapat berdampak pada tingkat keberhasilan fabrikasi. Dengan mempertimbangkan tantangan ini, keberhasilan produksi massal menjadi salah satu penentu penerapan teknologi baru. Menurut rencana yang dipublikasikan perusahaan, penerapan teknik penggabungan wafer dilakukan ketika teknologi tersebut dinilai memberikan manfaat yang sesuai. Strategi ini menggambarkan bahwa kemajuan semikonduktor penyimpanan tidak hanya berfokus pada peningkatan tinggi struktur, tetapi juga membutuhkan penyempurnaan arsitektur chip.
Micron Menargetkan Pengurangan Konsumsi Energi Transfer Data
Tidak terbatas pada pengembangan performa, pengurangan kebutuhan daya memperoleh perhatian utama dalam pengembangan memori flash generasi kesebelas. Dalam proyeksi teknologinya, Micron memperkirakan, penurunan energi transfer per bit lebih dari 25 persen dibandingkan arsitektur penyimpanan sebelumnya. Peningkatan tersebut menjadi keuntungan bagi infrastruktur komputasi modern yang menangani aktivitas transfer sepanjang waktu. Untuk pusat data dengan banyak perangkat, peningkatan efisiensi setiap perangkat dapat mengurangi sebagian kebutuhan energi sistem. Meski demikian, target tersebut mengacu pada efisiensi pemindahan informasi, bukan angka penurunan konsumsi seluruh sistem.
Pada laptop dan komputer desktop, penghematan energi dalam memori flash juga memiliki nilai tambah bagi rancangan sistem. SSD dengan konsumsi energi lebih terkendali dapat membantu pengelolaan daya selama pemindahan data ketika menjalankan proses pemindahan file. Kendati potensi tersebut menarik, temperatur operasional SSD tetap dipengaruhi berbagai komponen lain. Controller SSD, firmware dan konfigurasi daya juga menentukan hasil penggunaan nyata. Dengan mempertimbangkan hal tersebut, pengujian produk komersial tetap diperlukan sebelum manfaat efisiensi dapat dinilai secara menyeluruh.
Peluang Pemanfaatan Memori Micron pada Pusat Data Masa Depan
Meningkatnya penggunaan kecerdasan buatan membuat kapasitas penyimpanan menjadi semakin penting. Sistem AI modern sering memproses informasi dengan volume tinggi untuk pelatihan model maupun pelaksanaan model yang telah dilatih. Dalam lingkungan tersebut, NAND G11 dipersiapkan untuk membantu memenuhi permintaan storage modern. Kemampuan menyimpan lebih banyak data per luas chip dapat memberikan fleksibilitas desain produk. Di sisi performa, pengembangan kecepatan komunikasi NAND memberikan ruang optimalisasi perangkat penyimpanan, terutama apabila diintegrasikan dengan teknologi antarmuka modern.
Micron juga memaparkan rancangan penyimpanan yang dioptimalkan untuk kecerdasan buatan. Salah satu pendekatan pengembangannya adalah perangkat storage untuk menangani banyak permintaan akses melalui pengaturan akses data dengan granularitas lebih rendah. Konsep tambahan yang dipertimbangkan berfokus pada peningkatan bandwidth penyimpanan. Kebutuhan tersebut membuat pengembangan storage semakin beragam. Meski demikian, penyimpanan NAND tidak memiliki fungsi identik dengan RAM berkecepatan tinggi. Masing-masing teknologi digunakan sesuai kebutuhan performa, sehingga perancangan sistem menyeluruh tetap memegang peranan utama.
Micron Membuka Peluang Baru Penyimpanan Berkapasitas Tinggi
Pengembangan NAND G11 oleh Micron memperlihatkan arah perkembangan menarik dalam teknologi semikonduktor modern. Dengan struktur lebih dari 400 lapisan, teknologi tersebut dipersiapkan meningkatkan densitas penyimpanan sekitar dua kali lipat dibandingkan NAND pendahulunya. Pengembangan kemampuan transfer data hingga 1,5 kali lipat serta peningkatan efisiensi pemindahan informasi memperlihatkan potensi manfaat. Perusahaan merencanakan perluasan produksi pada paruh kedua 2027, sehingga kemampuan nyata tetap membutuhkan pengujian lanjutan. Bagi pengguna komputer, inovasi ini memberikan gambaran masa depan SSD. Menurut Anda, apakah efisiensi energi media penyimpanan akan lebih dibutuhkan dalam perkembangan teknologi AI pada masa depan industri digital?
